我科学家找到完成高阶拓扑绝缘体理论依据

我科学家找到完成高阶拓扑绝缘体理论依据
记者从我国科大得悉,该校合肥微标准物质科学国家研讨中心乔振华教授课题组与其合作者,在理论预言低维系统高阶拓扑绝缘体方面获得新打破。相关效果日前宣布在世界威望物理学期刊《物理谈论快报》上。拓扑量子系统是当今凝聚态物理一个备受重视的研讨范畴。近期,结合对称性和资料数据库的高通量核算报导了几十种二维拓扑绝缘体资料。其间,绝大多数已发现的资料系统能够被这两种理论模型有效地描绘。跟着拓扑绝缘体这一概念的继续推行,使得广泛存在于二维和三维层状资料系统中的新式拓扑相被不断发现。近年来的理论开展将拓扑相推行到了高阶:N维高阶绝缘体的N-1维鸿沟仍然绝缘,但是在N-2维的棱边或棱角上具有受拓扑维护的电子态。关于一个二维高阶拓扑绝缘体,电子在鸿沟上无法传输,但是在两个边相交的棱角处,能够呈现零能电子态。但是,这种二维高阶拓扑绝缘体在凝聚态系统中尚未被完成。科研人员提出一种新的计划来完成从一阶到二阶拓扑绝缘体的控制,即经过在二维一阶拓扑绝缘体上诱导出头内磁矩来完成二维二阶拓扑绝缘体。一阶拓扑绝缘体受时刻反演对称性维护;但是,面内磁矩的呈现损坏了该对称性,使得拓扑绝缘体变得拓扑平凡。一起,导电的鸿沟态也因为对称性被损坏而变得绝缘不再导电,并且在两个绝缘的鸿沟交界处,呈现了零能电子态。这项研讨效果为规划完成高阶拓扑绝缘体供给了坚实的理论依据。[ 责编:张蕃 ]

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